机译:In0.27Ga0.73Sb和ln(x)Al(1-x)As(y)Sb(1-y)基坑层的光学特性,用于开发基于6.2埃的异质结双极晶体管
机译:金属有机化学气相沉积和分子束外延生长碳掺杂基层的InP / InGaAs异质结双极晶体管的特性
机译:具有由GaAsSb接触层和InGaAsSb梯度层组成的混合基础结构的InP基双异质结双极晶体管的金属有机化学气相沉积的组成和掺杂控制
机译:高分辨率X射线衍射在线表征异质结双极晶体管基极层
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:GaInP / GaAs基异质结双极晶体管发射极层的缺陷研究
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响